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Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現(xiàn)貨

發(fā)布時(shí)間：2025-04-17 09:31:20     瀏覽：2021

　　Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)，適用于多種射頻功率應(yīng)用。

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現(xiàn)貨

　　產(chǎn)品概述

　　型號(hào)：CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。

　　功率：兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。

　　頻率范圍：覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍，適用于多種通信和雷達(dá)系統(tǒng)。

　　應(yīng)用場(chǎng)景：支持連續(xù)波(CW)和脈沖應(yīng)用，適合高功率射頻信號(hào)的放大和傳輸。

　　特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

　　高功率輸出：在1 dB增益壓縮點(diǎn)的標(biāo)稱輸出功率為100 W，能夠滿足高功率射頻應(yīng)用的需求。

　　高效率：在100 W輸出功率下，漏極效率典型值為57%，這意味著在高功率輸出時(shí)仍能保持較低的能耗。

　　低熱阻：采用熱增強(qiáng)型封裝，能夠有效散熱，確保在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。

　　高可靠性：具備出色的堅(jiān)固性，能夠在復(fù)雜的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。

　　寬帶操作：設(shè)計(jì)用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍，能夠滿足多種應(yīng)用需求，如通信、雷達(dá)和測(cè)試設(shè)備等。

　　符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

　　參數(shù)規(guī)格

參數(shù)符號(hào)條件最小值典型值/額定值最大值單位
頻率范圍frange-0-3500MHz
1 dB增益壓縮點(diǎn)的標(biāo)稱輸出功率PL(1dB)--100-W
漏源電壓VDS--50-V
輸出功率PL--118-W
功率增益GpPL = 100 W1415-dB
漏極效率ηDPL = 100 W5257-%
輸入回波損耗RLinPL = 100 W-12-10-8dB

Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢(shì)分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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